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碳化硅為機械強度、熱穩(wěn)定度、化學(xué)穩(wěn)定度皆非常優(yōu)異的化合物半導(dǎo)體,其莫氏硬度為9,熔點2830°C, 只能以600°C 純KOH溶液蝕刻。碳化硅極高的3.26eV能隙對比起硅的1.12eV ,使碳化硅擁有耐壓、高效、穩(wěn)定、散熱等優(yōu)勢。
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Fast SiC semiconductor lnc.即思創(chuàng)意股份有限公司專注于sic功率組件之無晶圓廠設(shè)計公司,主要提供有650V~1700V之SiC MOSFET與SiC二極管,目前唯一將SIC MOSFET設(shè)計可符合常規(guī)之12v硅基閘極驅(qū)動器使用?,F(xiàn)時碳化硅主要應(yīng)用領(lǐng)域?qū)诟吖β孰娫词袌鲆约皹O端環(huán)境下的各式應(yīng)用中。
Product No.
Drain-source?Voltage[V]
Drain-source?On-state?Resistance(Typ.)?[mΩ]
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DFN8x8
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DFN8x8
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