cypress Excelon-Ultra CY15B104QSN采用了高級(jí)鐵電工藝的高性能4Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（即FRAM）與RAM相同，是執(zhí)行讀和寫操作的易失性存儲(chǔ)器。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時(shí)間，并解決了由串行閃存和其他非易失性存儲(chǔ)器造成的復(fù)雜性、開(kāi)銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性的問(wèn)題。
 
與串行閃存不同的是，CY15B104QSN以總線速度執(zhí)行寫操作。并且不引起寫操作的延遲。在每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?，?shù)據(jù)立即被寫入到存儲(chǔ)器陣列內(nèi)。這時(shí)可以開(kāi)始執(zhí)行下一個(gè)總線周期而不需要輪詢數(shù)據(jù)。與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，該產(chǎn)品提供了更多的擦寫次數(shù)。CY15B104QSN能夠提供10¹⁴次的讀/寫周期，或支持比EEPROM多1億次的寫周期。由于具有這些特性，因此CY15B104QSN非常適用于需要頻繁或快速寫操作的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用。示例的范圍包括從數(shù)據(jù)收集（其中寫周期數(shù)量是非常重要的）到滿足工業(yè)級(jí)控制（其中串行Flash的較長(zhǎng)寫時(shí)間會(huì)使數(shù)據(jù)丟失）。
 
CY15B104QSN將4Mbit FRAM與高速度四線SPI（QPI）SDR和DDR接口相結(jié)合，從而增強(qiáng)鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)的非易失性寫入功能。該器件包含一個(gè)只讀的器件ID和唯一ID特性，通過(guò)它們，SPI總線主設(shè)備可以確定器件的制造商、產(chǎn)品容量、產(chǎn)品版本和唯一ID。該器件包含一個(gè)唯一只讀序列號(hào)，可用來(lái)識(shí)別某個(gè)電路板或系統(tǒng)。
 
該器件支持片上ECC邏輯，可以在每個(gè)8字節(jié)數(shù)據(jù)單元內(nèi)檢測(cè)和糾正單比特錯(cuò)誤。該器件還包含在8字節(jié)數(shù)據(jù)單元中提供雙比特錯(cuò)誤報(bào)告的擴(kuò)展功能。CY15B104QSN還支持循環(huán)冗余校驗(yàn)（CRC），可用來(lái)校驗(yàn)存儲(chǔ)器陣列中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的完整性。代理商英尚微支持提供產(chǎn)品技術(shù)支持。
 
性能
■4Mbit鐵電性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）的邏輯組織方式為512Kx8
?提供了一百萬(wàn)億次（10¹⁴）的讀/寫周期，幾乎為無(wú)限次數(shù)的耐久性。
?151年數(shù)據(jù)保留時(shí)間
?NoDelay™寫操作
?高級(jí)高可靠性的鐵電工藝
■單線和多線I/O串行外設(shè)接口（SPI）
?串行總線接口SPI協(xié)議
?支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1），適用于所有SDR模式轉(zhuǎn)換
?支持SPI模式0（0，0），適用于所有DDR模式轉(zhuǎn)換
?擴(kuò)展型I/OSPI協(xié)議
?雙線SPI（DPI）協(xié)議
?四線SPI（QPI）協(xié)議
■SPI時(shí)鐘頻率
?最高108MHz頻率SPI的單倍數(shù)據(jù)速率（SDR）
?最高54MHz頻率SPI的雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）
■芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）模式下的存儲(chǔ)器讀/寫操作
■寫入保護(hù)，數(shù)據(jù)安全性，數(shù)據(jù)完整性
■使用寫保護(hù)（WP）引腳提供硬件保護(hù)
■軟件模塊保護(hù)
■提高數(shù)據(jù)完整性的糾錯(cuò)碼（ECC）和循環(huán)冗余校驗(yàn)（CRC）
?檢測(cè)并糾正但比特錯(cuò)誤的ECC。在發(fā)生雙比特錯(cuò)誤時(shí)，它將不糾正錯(cuò)誤，但將通過(guò)ECC狀態(tài)寄存器進(jìn)行錯(cuò)誤報(bào)告
?CRC將檢測(cè)原始數(shù)據(jù)的任意意外更改
■擴(kuò)展的電子簽名
?器件ID包含制造商ID和產(chǎn)品ID
?唯一ID
?用戶可編程序列號(hào)。
■專用256字節(jié)特殊扇區(qū)FRAM
?專用特殊扇區(qū)寫和讀操作
?內(nèi)容可以在最多3個(gè)標(biāo)準(zhǔn)回流焊周期內(nèi)保持不變
■高速度，低功耗
?SPISDR頻率為108MHz時(shí)，有效電流為10mA（典型值）
?QSPISDR頻率為108MHz并且QSPIDDR頻率為54MHz時(shí)，有效電流為16mA（典型值）
?待機(jī)電流為110µA（典型值）
?深度掉電模式電流為0.80µA（典型值）
?休眠模式電流為0.1µA（典型值）
■低電壓操作：
?CY15B104QSN：VDD=1.8V到3.6V
■工作溫度范圍：–40℃到+85℃
■封裝
?8pin小型塑封集成電路（SOIC）封裝
?8pin網(wǎng)格陣列四方扁平無(wú)引線（GQFN）封裝
■符合有害物質(zhì)限制標(biāo)準(zhǔn)（RoHS）
 
CY15B104QSN是一個(gè)串行FRAM存儲(chǔ)器。該存儲(chǔ)器陣列被邏輯組織為 524,288 ×8 位。通過(guò)使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外設(shè)接口（SPI）總線可以訪問(wèn)該存儲(chǔ)器陣列。FRAM 的功能操作與單線SPI EEPROM或單線/雙線/四線SPI閃存的功能操作相同。CY15B104QSN與具有相同引腳分布的串行閃存之間的主要區(qū)別在于FRAM具有更好的寫性能、高的耐久性和較低的功耗。


本文關(guān)鍵詞： CY15B104QSN   鐵電存儲(chǔ)器

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