ISSI IS61WV25616BLL是一款采用ISSI的高性能CMOS技術制造的高速4Mb快速異步SRAM芯片，按16位262,144個字組織。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設計技術相結合，可生產出高性能和低功耗的器件。通過使用芯片使能和輸出使能輸入、可輕松擴展內存。低電平有效寫使能 控制存儲器的寫入和讀取。 數據字節(jié)允許訪問高字節(jié)和低字節(jié)。采用標準44TSOPII 封裝。
 
偉凌創(chuàng)芯國產SRAM芯片EMI504WF16VA是4Mbit異步快速SRAM芯片，CMOS低功耗待機，位寬為256K*16K字，快速訪問時間8ns、10ns、12ns，使用16條公共輸入和輸出線，并有一個輸出使能引腳，其運行速度比讀取周期中的地址訪問時間快。
 
EMI504WF16VA具備TTL兼容輸入和輸出，三個狀態(tài)輸出，完全靜態(tài)操作，專為高速電路設計技術。采用標準44TSOP2封裝，它特別適用于高密度高速系統應用。此款EMI504WF16VA可完美替換兼容IS61WV25616BLL，代理商英尚國際有限公司支持提供樣品測試及必要的FAE技術支持。
 
安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責任公司是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注SRAM存儲器、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售。為行業(yè)客戶提供高品質、低成本，供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。


本文關鍵詞：SRAM,ISSI, IS61WV25616BLL

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