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?      偽靜態(tài)存儲器（Parrallel pSRAM）的設計是用于直接替代靜態(tài)隨機存儲器（SRAM），即使內部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨機存儲器（PSRAM）及鐵電隨機存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應用；當純粹計算每個位的成本時具有競爭優(yōu)勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應用，在系統(tǒng)成本及產品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得，在這種應用中可以提供卓越的性能。
JSCJSC濟州半導體致力于PSRAM芯片領域，并成為了全球半導體PSRAM存儲芯片領域解決方案供應商之一。
由于濟州半導體出道到SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和4M SRAM的2001市場，濟州半導體持續(xù)實施全系列低功耗SRAM產品通過1M、2M、4M至8M SRAM，也包括8M至64M的PSRAM存儲芯片產品，產品線主要是由SRAM芯片、PSRAM芯片、NAND FLASH組成。

Density Part number Voltage Max Speed DPD mode Pacakge Type Product Description PDF下載
64Mb EM7644SU16ASZP-70LF 3.0V 70ns -- 48B FBGA 6x7mm De-Mux Async. pSRAM 暫無
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32Mb JS7324SU16BN 3.0V 70ns O KGD De-Mux Async. pSRAM 暫無
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