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偽靜態(tài)存儲(chǔ)器（Parrallel pSRAM）的設(shè)計(jì)是用于直接替代靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM），即使內(nèi)部存儲(chǔ)器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲(chǔ)器分別是偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（PSRAM）及鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（F—RAM）。PSRAM針對(duì)慢速SRAM應(yīng)用；當(dāng)純粹計(jì)算每個(gè)位的成本時(shí)具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。F-RAM針對(duì)電池后備SRAM（即BBSRAM）應(yīng)用，在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應(yīng)方面具有競(jìng)爭(zhēng)力。F-RAM還有一個(gè)目標(biāo)用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得，在這種應(yīng)用中可以提供卓越的性能。
winbond華邦電子聚焦于中低容量產(chǎn)品，提供規(guī)格完整的串口式閃存（Serial Flash）和并行式閃存（Parallel Flash）產(chǎn)品以及PSRAM芯片產(chǎn)品，滿足小尺寸封裝規(guī)格，具有腳數(shù)低、體積小、成本低的特性；拓展應(yīng)用于行動(dòng)裝置、消費(fèi)電子，以及多樣性之車用電子、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴裝置等應(yīng)用領(lǐng)域。winbond華邦電子運(yùn)用技術(shù)自主之優(yōu)勢(shì)及謹(jǐn)慎規(guī)劃的產(chǎn)能策略，建立極具彈性的生產(chǎn)體系，并發(fā)揮產(chǎn)品組合相乘所產(chǎn)生之綜效，充分滿足客戶多元化需求、落實(shí)自有品牌之發(fā)展。該品牌非我司代理產(chǎn)品線
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256Mb 1.8V / 1.8V W958D6DBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 16Mbit x16 CRAM-ADM 暫無(wú)
256Mb 1.8V / 1.8V W968D6DAG 133MHz / 70ns -40~85℃ 16Mbit x16 CRAM 暫無(wú)
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32MB 1.8V W966K6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 2Mbit x16 CRAM 暫無(wú)
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